晶体管导通压降大
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晶体管导通压降大
电压V2等于结电压V2，但将V1的基极与V1并联，其等效电阻变小，因此V2的基极等效电阻变小，电压会明显下降！在并联电路中，所有并联到电源的支路电压相等
1（IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），绝缘双极型晶体管，是A（由BJT组成）。全复合压控功率半导体器件，由双极型晶体管（双极型晶体管）和绝缘栅场-效应晶体管（MOS），即MOSFET的高输入异阻电容始终具有较低的GTR正向电压。
IGBT是一种隔离的双极晶体管，它是由完全电流控制的半导体器件组成。结合了BJT和MOS（隔离栅效应晶体管）导通电压异质性的两大优点。
IGBT，隔离栅双极型晶体管，是一种全电压控制的功率半导体器件，由BJT（双极型晶体管）组成。）和MOS（绝缘栅场效应晶体管MOSFET高输入电阻的优点）。
C-E之间晶体管饱和部分的压降与两个PN结正向电压相同时等于两个PNP结正向电压之差，因此，对于理想晶体管，饱和压降与PN结正向电压有一定的关系。
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